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Une brève analyse de l'orientation du développement technique de l'hydroxyde d'aluminium à bas ions de sodium dans les semi-conducteurs

June 17, 2024

Dernières nouvelles de l'entreprise Une brève analyse de l'orientation du développement technique de l'hydroxyde d'aluminium à bas ions de sodium dans les semi-conducteurs

La poudre d'hydroxyde d'aluminium ultrafin a de multiples fonctions telles que le retard de flamme, la suppression de la fumée et le remplissage.Il peut produire des effets synergiques de retardateur de flamme avec diverses substances telles que le phosphore et l'azoteIl est devenu un important retardateur de flamme respectueux de l'environnement dans les industries chimique, câblée, caoutchouc et plastique, électronique et autres.

Selon les statistiques, en 2019, la production d'hydroxyde d'aluminium ultrafin de mon pays était de 634 700 tonnes, soit une augmentation annuelle de 24,5%, ce qui représente environ 25% de la part de marché mondiale;il est prévu que d'ici à 2025, la production d'hydroxyde d'aluminium ultrafin de mon pays atteindra 2,0218 millions de tonnes, avec un taux de croissance composé de 21,3% de 2019 à 2025,et devrait représenter environ 43% de la part de marché mondialeL'avant-courant de la chaîne industrielle de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin est l'industrie minière de la bauxite et de l'alumine, et l'avant-courant est principalement utilisé dans le fil et le câble, les matériaux d'isolation, la céramiqueles semi-conducteurs et autres industries.

La demande mensuelle d'ATH de qualité électronique est inférieure à 2 000 tonnes, ce qui est un segment de marché particulièrement spécialisé.Le rôle de l'interconnexion, conduction, isolation et support des cartes de circuits imprimés, et ont une grande incidence sur la vitesse de transmission, les pertes d'énergie et les caractéristiques des signaux dans le circuit.pour répondre aux exigences des semi-conducteurs en électronique et en génie électriqueJe l'appellerai l'hydroxyde d'aluminium ultrafin spécialement conçu pour les semi-conducteurs électroniques.

1. Haute pureté des ingrédients

Des impuretés telles que l'oxyde de fer et l'oxyde de sodium mélangés dans l'hydroxyde d'aluminium ultrafin pendant le processus de cristallisation réduiront les performances d'isolation du semi-conducteur.L'oxyde de sodium affecte également la température de décomposition thermique initiale de l'hydroxyde d'aluminium. plus la teneur en oxyde de sodium est faible, meilleure est la stabilité thermique du produit.réduire au minimum les impuretés dans l'hydroxyde d'aluminium ultrafin, et l'amélioration continue de la pureté du produit sont les principales directions de développement de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin pour semi-conducteurs.

2. Granularité centralisation

L'hydroxyde d'aluminium ultrafin de différentes tailles de particules présente des indicateurs de paramètres de performance différents, qui affectent directement les performances de production, de traitement et d'utilisation des semi-conducteurs.Plus la déviation type de la distribution normale de la taille des particules des produits à base d'hydroxyde d'aluminium ultrafin est faible, plus les performances sont cohérentes, et plus les performances de traitement et d'utilisation des semi-conducteurs sont uniformes et stables.une considération importante est la concentration de la distribution de la taille des particulesComment contrôler strictement la répartition de la taille des particules des poudres au niveau du micron ou même du nanomètre, et maintenir une stabilité continue entre les différents lots,est un problème important pour les fabricants d'hydroxyde d'aluminium ultrafinPar conséquent, la centralisation de la distribution de la taille des particules est la principale direction de développement de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin pour les semi-conducteurs.

3. Taille des particules ultra-fines

L'ultrafineté de l'hydroxyde d'aluminium augmente la surface de l'hydroxyde d'aluminium, réduit la pression de vapeur de la surface des particules, améliore considérablement l'effet retardateur de flamme,et améliore les propriétés mécaniques et la résistance à la chaleur des produits matérielsCependant, la taille des particules ultrafines entraînera une agglomération de poudre, ce qui affectera gravement l'uniformité de la poudre dans la résine époxy.ce qui rend difficile l'utilisation de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin dans la production de semi-conducteurs (une agglomération entraîne l'obstruction du système de filtration, B augmentation de la valeur d'absorption de l'huile modifie la viscosité du système de résine époxy, affectant l'effet de trempage et de revêtement).atteindre la dispersibilité de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin en poudre et l'équilibrage en même temps est la troisième difficulté technique majeure de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin pour les semi-conducteurs.

4Améliorer la résistance à la chaleur

Généralement, la température de décomposition de l'hydroxyde d'aluminium est basse, et il commence à éliminer l'eau cristalline à 200 °C-220 °C.Lorsque la température est trop élevée pendant le processus de production de semi-conducteurs ou le traitement des circuits imprimés, l'hydroxyde d'aluminium se déshydrate et forme des bulles, ce qui entraînera de nombreux risques de performance de la carte.La promotion du procédé des circuits imprimés sans plomb a aggravé le test de résistance à la chaleur, qui est devenu un goulot d'étranglement pour la promotion et l'application de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin dans l'industrie des semi-conducteurs.L'amélioration de la résistance thermique de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin et l'adaptation aux exigences croissantes en matière de résistance thermique des clients en aval des semi-conducteurs sont les principaux défis auxquels sont confrontés aujourd'hui.

5Modification de la surface

La modification de surface fait référence à l'utilisation de certaines méthodes pour traiter, modifier et traiter la surface de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin,et modifier délibérément ses propriétés physiques et chimiques pour répondre aux besoins de la production et du traitement des semi-conducteurs. par modification de surface, les propriétés électriques, le magnétisme, la tension de surface et l'obstacle stérique de la surface des particules peuvent être modifiés, sa dispersibilité dans la résine peut être améliorée,sa compatibilité avec les matériaux polymères peut être améliorée, et la fragilité ou la dégradation des performances des matériaux semi-conducteurs causée par l'ajout d'hydroxyde d'aluminium ultrafin peut être réduite ou éliminée,en élargissant ainsi la gamme d'applications en aval de l'hydroxyde d'aluminium ultrafin.

6. synergie retardateur de flamme

En outre, l'hydroxyde d'aluminium lui-même présente certaines lacunes de performance (telles que la résistance à la chaleur).Afin de mieux répondre aux besoins des semi-conducteurs et des produits de matières en aval, la combinaison de plusieurs retardateurs de flamme pour obtenir des avantages complémentaires est devenue l'un des sujets de recherche importants.la technologie de combinaison et de synergie avec la série d'azote phosphoreuxLa recherche et le développement de l'hydroxyde de magnésium et d'autres retardateurs de flamme constituent une direction importante pour les retardateurs de flamme d'hydroxyde d'aluminium ultrafin.

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